[发明专利]一种外延片、外延片制备方法以及发光二极管在审
| 申请号： | 202210357114.6 | 申请日： | 2022-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN114709309A | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 刘春杨;胡加辉;吕蒙普;金从龙 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 36150 | 代理人： | 彭琰 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供一种外延片、外延片制备方法以及发光二极管，所述外延片包括多量子阱层，所述多量子阱层包括周期性交替层叠的量子阱层和量子垒层，所述量子阱层和所述量子垒层均为AlGaN层；其中，所述量子垒层通过Al组分含量的变化形成双三角形势垒结构。本发明解决了现有技术中的外延片发光效率低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 外延 制备 方法 以及 发光二极管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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