[发明专利]DRAM电路的测试方法及系统在审
| 申请号： | 202210365432.7 | 申请日： | 2022-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN114913910A | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 王可新 | 申请（专利权）人： | 上海格易电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/08 | 分类号： | G11C29/08;G11C29/12 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 李秀云 |
| 地址： | 201210 上海市浦东新区自由贸易试验区张江*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种DRAM电路的测试方法及系统。其中，该测试方法用于DRAM电路的测试系统，DRAM电路的测试系统包括寄存电路及DRAM电路；该测试方法包括基于读指令产生第一使能信号，并将第一使能信号发送至寄存电路；寄存电路基于第一使能信号经由数据线获取期望数据；获取期望数据后，基于读指令产生延时信号，并将延时信号发送至DRAM电路，DRAM电路基于延时信号读取DRAM中的存储数据，并将基于期望数据及存储数据得到的DRAM电路测试结果经由数据线输出。本申请的DRAM电路的测试方法及系统，能够缩短DRAM电路的测试时间，提高DRAM电路的产测效率。 | ||
| 搜索关键词： | dram 电路 测试 方法 系统 | ||
【主权项】：
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