[发明专利]一种用于改善大直径单晶硅生长固液界面温度梯度的方法在审
| 申请号： | 202210375385.4 | 申请日： | 2022-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN114561692A | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 马武祥;令狐铁兵;吴彦国;胡晓亮;李战国 | 申请（专利权）人： | 麦斯克电子材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 郑州豫鼎知识产权代理事务所(普通合伙) 41178 | 代理人： | 轩文君 |
| 地址： | 471000 河南省洛*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于改善大直径单晶硅生长固液界面温度梯度的方法，本发明有效解决了现有针对大直径单晶硅生长时硅熔体径向温度梯度均匀性较低且晶棒内部热量无法较好的向外界释放的问题；解决的技术方案包括：本方案充分利用针对大直径单晶硅生长时所需的大尺寸热场的空间，将外热屏的倾斜角度减小，增大内、外热屏间的保温毡厚度区域，减少硅熔体对晶棒的热辐射，增大晶棒结晶时其内部热量的释放，另一方面，通过改变外热屏底部结构，使其具有一个反射面，从而改善传统的加热方式造成的油边缘箱中心产生热辐射损耗的情况，提高硅熔体中心的温度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 改善 直径 单晶硅 生长 界面 温度梯度 方法 | ||
【主权项】：
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