[发明专利]护膜、曝光方法及平板显示器用屏的制造方法在审
申请号: | 202210376691.X | 申请日: | 2022-04-12 |
公开(公告)号: | CN115202148A | 公开(公告)日: | 2022-10-18 |
发明(设计)人: | 関原一敏 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | G03F1/48 | 分类号: | G03F1/48 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 宋兴;臧建明 |
地址: | 日本东京千代田区丸之内一*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种护膜、曝光方法及平板显示器用屏的制造方法,此护膜的至少一条边的边长超过1000mm,且当安装于光掩模的护膜高速移动时,护膜膜片的摇晃量小。本发明的护膜包含至少一条边长超过1000mm的护膜框、及粘接于其一个框状面的护膜膜片而构成,且所述护膜,其中,对于护膜膜片,在与相互平行且为线对称的一对护膜框边平行的方向赋予有1%以上且2.5%以下的拉伸应变。 | ||
搜索关键词: | 护膜 曝光 方法 平板 显示 器用 制造 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于信越化学工业株式会社,未经信越化学工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202210376691.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备