[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202210380808.1 | 申请日： | 2022-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN114743951A | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 洪齐元;王贻源 | 申请（专利权）人： | 芯盟科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/50 | 分类号： | H01L23/50;H01L23/52;H01L23/535;H01L25/18;H01L21/60;H05K1/09 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 朱得菊;徐文欣 |
| 地址： | 314400 浙江省嘉兴市海宁市海*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，结构包括：第一芯片；第二芯片；位于第一芯片和第二芯片之间的转接板，所述转接板电连接所述第一芯片和第二芯片，所述转接板内具有有源器件，所述有源器件用于实现所述第一芯片和第二芯片连接后的功能。所述半导体结构的堆叠集成难度降低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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