[发明专利]一种富Sb的二元相变神经元基质材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202210387143.7 申请日: 2022-04-14
公开(公告)号: CN114933330A 公开(公告)日: 2022-08-23
发明(设计)人: 王国祥;朱晋毅;陈益敏;沈祥 申请(专利权)人: 宁波大学
主分类号: C01G30/00 分类号: C01G30/00;C23C14/02;C23C14/06;C23C14/35;H01L45/00
代理公司: 宁波奥圣专利代理有限公司 33226 代理人: 何仲
地址: 315211 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种富Sb的二元相变神经元基质材料及其制备方法,特点是该材料由硫和锑两种元素组成的混合物,其化学结构式为SbxS100‑x,80x90at.%,其制备过程包括在磁控溅射镀膜系统中将合金Sb2S3靶材安装在磁控射频溅射靶中,将单质Sb靶材安装在磁控直流溅射靶中的步骤;打开机械泵,待真空度达到1.5×10‑1Pa以下时,打开分子泵待抽真空至5.0×105Pa以下,控制合金Sb2S3靶的溅射功率为20‑27W,单质Sb靶的溅射功率为50W进行溅射,Sb和Sb2S3靶材共同溅射660s即得到富Sb的二元相变神经元基质材料,优点是具有较简单的组分、较高的结晶温度、较快的相变转变速度和较低的电阻漂移系数。
搜索关键词: 一种 sb 二元 相变 神经元 基质 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
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