[发明专利]一种I型纳米晶磁芯及其制备方法有效
| 申请号： | 202210389543.1 | 申请日： | 2022-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN114628144B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 姜永涨;李林罡;李平;汪勇;贺俊嘉;柯群威 | 申请（专利权）人： | 常德智见新材料有限公司 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;H01F3/04 |
| 代理公司： | 杭州浙科专利事务所(普通合伙) 33213 | 代理人： | 巩延亮 |
| 地址： | 415001 湖南省常德市常德经济技*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种I型纳米晶磁芯及其制备方法，具体的制备过程包括如下步骤：纳米晶带材卷绕成环形磁芯、环形磁芯定形装模、磁芯热处理、磁芯电感量性能检测、配比胶水真空负压吸入、烘烤箱烘烤固化、切割定形、保护性环氧喷涂，从而得到所需的成品I型纳米晶磁芯。本发明工艺方法，能有效方便解决条形磁芯性能测试复杂问题，可以实现百分百全部检测，确保所有磁芯都具备所需性能，显著的提高磁芯的合格率。对比传统层间堆叠制备工艺，本发明提高了生产效率，尺寸精度一致性，性能合格率，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 晶磁芯 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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