[发明专利]一种N掺杂C膜的制备方法在审

专利信息
申请号: 202210389804.X 申请日: 2022-04-14
公开(公告)号: CN114774846A 公开(公告)日: 2022-07-22
发明(设计)人: 沈洪雪;汤永康;甘治平;李刚;王天齐;李钰涵 申请(专利权)人: 中建材玻璃新材料研究院集团有限公司;玻璃新材料创新中心(安徽)有限公司
主分类号: C23C14/02 分类号: C23C14/02;C23C14/06;C23C14/35;C23C14/58
代理公司: 安徽省蚌埠博源专利商标事务所(普通合伙) 34113 代理人: 杨晋弘
地址: 233010 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明涉及一种N掺杂C膜的制备方法,其特征在于:(1)选择衬底材料,高纯石墨为溅射靶材,N2为离子束的N+源;(2)对衬底材料依次用丙酮、酒精、去离子水进行超声清洗,吹干;(3)把衬底材料放入溅射腔中,启动磁控溅射设备并抽真空,在真空度达到1.0~3.0*10-4Pa时,通入溅射Ar气,使C靶起辉,设定工艺参数,在Si片上制备C膜;关闭C靶,开启离子束沉积系统,通入N2作为氮源,通过离子束发射N+轰击C膜,与衬底C膜发生反应并实现掺杂;(4)取出样品,放入250‑400℃、N2气氛炉中1.5‑3h保温退火,制得N掺杂C薄膜。本发明优点:工艺简单,可控性强;以N2为离子源,不引入其他杂质元素,成膜几率高;保温退火,提高了掺杂均匀性及薄膜的结晶质量。
搜索关键词: 一种 掺杂 制备 方法
【主权项】:
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