[发明专利]一种漏区自对准垂直沟道MOS集成电路单元结构及其实现方法有效
| 申请号： | 202210393557.0 | 申请日： | 2022-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN114823861B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 李平;彭辰曦;廖永波;杨智尧;刘金铭;刘玉婷;刘仰猛 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及微电子技术和集成电路技术，尤其涉及一种自对准MOSFET结构及其制造方法。基于此前提出的源级自对准垂直沟道MOS集成电路单元及其实现方法，为了进一步提高集成度，本发明提出了一种新型的漏级自对准垂直沟道MOS集成电路单元结构及其实现方法。利用栅极环绕的区域和栅极顶部氧化层作为掩膜，实现漏电极沟槽自对准刻蚀，减少了光刻次数和多次套刻带来的误差，提高了集成电路的集成度，降低了制作工艺的难度和成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 对准 垂直 沟道 mos 集成电路 单元 结构 及其 实现 方法 | ||
【主权项】：
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