[发明专利]一种高功率半导体器件散热用单晶碳化硅金属化复合陶瓷片在审
| 申请号： | 202210401281.6 | 申请日： | 2022-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN114804930A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 潘远志;邓敏航;刘鑫 | 申请（专利权）人： | 苏州博志金钻科技有限责任公司 |
| 主分类号： | C04B41/90 | 分类号： | C04B41/90;H01L23/373 |
| 代理公司： | 北京中创博腾知识产权代理事务所(普通合伙) 11636 | 代理人： | 陈斌 |
| 地址： | 215151 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高功率半导体器件散热用单晶碳化硅金属化复合陶瓷片，包括以下步骤，步骤一，基体处理；步骤二，沉积打底层；步骤三，沉积蓄热层；步骤四，沉积功能层；步骤五，沉积扩散阻挡层；步骤六，沉积焊接层；该发明安全、可靠，相比较传统的单晶碳化硅复合陶瓷片，本发明采用的单晶碳化硅金属化散热复合陶瓷片，能够完全满足芯片对高度可靠和稳定功能的需求，实现为元器件提供机械支持、保护、散热及焊接全流程国产化；一方面能够使得单晶碳化硅高散热性能得以发挥，另一方面能够使其与芯片进行连接，并且能够实现很好的导电效果，本结构能达到性能稳定而且环保的效果，而且沉积工艺易于大规模工业化量产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 散热 用单晶 碳化硅 金属化 复合 陶瓷 | ||
【主权项】：
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