[发明专利]晶圆单面化学镀方法、半导体器件制造方法及半导体器件在审
| 申请号： | 202210407375.4 | 申请日： | 2022-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN114899126A | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 杨凌辉;黎哲;邓方圆;吴荣成;刘晗 | 申请（专利权）人： | 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683;C23C18/16 |
| 代理公司： | 绍兴市知衡专利代理事务所(普通合伙) 33277 | 代理人： | 邓爱民 |
| 地址： | 312000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及晶圆单面化学镀方法、半导体器件制造方法及半导体器件，晶圆单面化学镀方法包括：提供一侧形成Taiko环的晶圆；提供刚性支撑板；将Taiko环的端面与刚性支撑板紧密相连；将紧密相连的晶圆以及刚性支撑板进行化学镀处理；分离化学镀处理后的晶圆与刚性支撑板。利用该单面化学镀方法可进行采用Taiko减薄工艺减薄后的晶圆单面化学镀处理，省去了现有化学镀工艺前后的贴膜和揭膜工序，避免了原有化学镀贴膜工艺漏液的发生；采用刚性支撑板与晶圆的Taiko环的端面进行粘接，有助于减小单面化学镀时晶圆的翘曲度，可以显著降低晶圆单面化学镀后片内色差，对产品的外观及应用的可靠性都有所提升。 | ||
| 搜索关键词： | 单面 化学 方法 半导体器件 制造 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
