[发明专利]光电半导体的结构在审
| 申请号： | 202210426521.8 | 申请日： | 2022-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN116207113A | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 张怡鸣;吴昭霖;孙梓菀 | 申请（专利权）人： | 天光材料科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁 |
| 地址： | 中国台湾新竹科学*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明为一种光电半导体的结构，其包含一基板、一第一电极、一电极接点、一半导体层以及一第二电极，其中，当半导体层内的光活性层吸收光源产生激子后，激子分离为第一载子跟第二载子，第一载子透过半导体层内的第一界面层传递至第一电极，且第二载子透过穿隧效应直接由第二电极传递至电极接点。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 半导体 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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