[发明专利]用于红外探测器的热耦合结构和芯片装配方法有效
申请号: | 202210430637.9 | 申请日: | 2022-04-22 |
公开(公告)号: | CN114944430B | 公开(公告)日: | 2022-11-22 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 北京智创芯源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02;H01L31/024;H01L31/0203;H01L31/09;H01L31/18 |
代理公司: | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人: | 吴大建;张高洁 |
地址: | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种用于红外探测器的热耦合结构和芯片装配方法,热耦合结构包括:冷台;PCB过渡板,设置在冷台上;芯片承载组件,设置在PCB过渡板上,用于安装芯片;芯片承载组件包括:插座,设置在PCB过渡板上;管壳,设置在插座内;其中,插座设置有内引脚,管壳设置有外引脚,当管壳压入插座时,管壳的外引脚与插座的内引脚接触导通。冷台包括具有伸缩功能的伸缩台,伸缩台通过伸缩始终与管壳的底部抵触接触。本发明针对螺钉固定陶瓷基板在液氮金属杜瓦冷台上受力不均匀引入的热应力过大问题,通过使用压接方式使受力均匀分布,解决因陶瓷引线基板断裂引起的电学信号断开、芯片裂片。 | ||
搜索关键词: | 用于 红外探测器 耦合 结构 芯片 装配 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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