[发明专利]一种激发Ge掺杂FeSeTe单晶材料的超导性能的方法在审
| 申请号： | 202210431602.7 | 申请日： | 2022-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN114808102A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 赵勇;刘禹彤;周大进 | 申请（专利权）人： | 福建师范大学 |
| 主分类号： | C30B1/02 | 分类号： | C30B1/02;C30B1/10;C30B29/52 |
| 代理公司： | 福州君诚知识产权代理有限公司 35211 | 代理人： | 张耕祥 |
| 地址： | 350108 福建省福州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种激发Ge掺杂FeSeTe单晶材料的超导性能的方法，1）在惰性气体氛围中将铁粉，锗粉，硒粉和碲粉充分研磨，按比例混合，将均匀混合的粉末压片，将制得的混合粉末胚体放置在坩埚中，再将坩埚放置在石英管中，将石英管进行真空封管处理后进行烧结，得到Ge掺杂FeSeTe单晶样品；2）将上述制备的样品研磨后装进模具中进行压片，将压好的胚体放置在坩埚中，再将坩埚放置在石英管中，将石英管进行真空封管处理后进行烧结，取出淬火。本方法成功地激发出Ge掺杂FeSeTe单晶材料的超导性能，这为FeSeTe超导体原理的研究提供了进一步的技术支持。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 激发 ge 掺杂 fesete 材料 超导 性能 方法 | ||
【主权项】：
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