[发明专利]层间介质层的形成方法在审
| 申请号： | 202210433789.4 | 申请日： | 2022-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN115410988A | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 田守卫;姜国伟;孙洪福;王雷 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了层间介质层的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成若干个金属互联结构，若干个金属互联结构之间具有沟槽；在所有金属互联结构的表面形成第一层间介质层，第一层间介质层覆盖所有金属互联结构，同时填充沟槽，第一层间介质层具有尖端；对第一层间介质层进行离子溅射，降低尖端的高度或者消除尖端；在溅射后的第一层间介质层上形成第二层间介质层；研磨第二层间介质层的表面。本发明通过在形成第一层间介质层后，进行一道离子溅射，减小第一层间介质层的尖端的高度或者消除第一层间介质层的尖端，从而减少或消除了第二层间介质层的空洞，防止第二层间介质层在研磨后表面出现空洞。 | ||
| 搜索关键词： | 介质 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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