[发明专利]闪存器件的制作方法

摘要

本发明提供一种闪存器件的制作方法，包括：提供前端器件，前端器件包括在衬底上依次层叠的栅介质层、浮栅层、复合介质层、控制栅层和具有元胞区开口的掩模层；元胞区开口的侧壁形成有侧墙，侧墙暴露出部分控制栅层；暴露出的控制栅层表面被氧化形成自然氧化层；形成覆盖自然氧化层的牺牲氧化层；干法刻蚀牺牲氧化层和自然氧化层暴露出控制栅层。通过在自然氧化层表面形成牺牲氧化层，在暴露出控制栅层的工艺(BT工艺)中，待刻蚀去除的氧化层(包括牺牲氧化层和自然氧化层)厚度增加，延长了刻蚀时间，便于刻蚀机台点火时间控制；解决刻蚀时间太短刻蚀机台点火较难控制的问题，同时避免在仅有自然氧化层状态下刻蚀时间加长导致过刻蚀的情况。