[发明专利]一种改善金属残留的TFT阵列基板结构及其制造方法

摘要

本发明公开一种改善金属残留的TFT阵列基板结构及其制造方法，所述改善金属残留的TFT阵列基板结构，包括TFT侧玻璃基板，所述玻璃基板上设有带有凹槽的缓冲层，所述凹槽的的形状为上大下小的梯形状，所述缓冲层的凹槽内沉积有GE金属层，所述GE金属层上设有GI绝缘层，所述GI绝缘层上设有PV绝缘层。本发明在玻璃基板上增加一层带有凹槽设计的缓冲层，使GE金属层走线沉积在缓冲层之内，采用CMP工艺，将缓冲层表面进行平坦化处理，使GE金属层与缓冲层处于共平面，排除了GE Taper的存在，消除了因GE Taper引起的金属残留，从而达到提高产品良率的目的。