[发明专利]金半接触器件的结构、制造方法及电子设备在审
| 申请号： | 202210454849.0 | 申请日： | 2022-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN114899217A | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 曾健忠 | 申请（专利权）人： | 天狼芯半导体（成都）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 阳方玉 |
| 地址： | 610000 四川省成都市高新*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种金半接触器件的结构、制造方法及电子设备，属于半导体技术领域，通过包括衬底、边缘环结构和金属层；边缘环结构位于衬底中；金属层覆盖衬底且显露边缘环结构；其中，边缘环结构包括n个离子掺杂阱区；n为大于1的自然数；第i离子掺杂阱区位于第i+1离子掺杂阱区中；i为小于n的正整数；由于金属层覆盖所述衬底且显露所述边缘环结构，同时，边缘环结构包括n个离子掺杂阱区；第i离子掺杂阱区位于第i+1离子掺杂阱区中；使得金属层的边缘因嵌套的离子掺杂阱区形成逐渐减弱的电场分布，提高了器件最大反向偏压和器件的可靠度。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 器件 结构 制造 方法 电子设备 | ||
【主权项】：
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