[发明专利]半导体器件的制备方法有效
| 申请号： | 202210455052.2 | 申请日： | 2022-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN114551224B | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 李超成 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B08B3/08 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 汪春艳 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件的制备方法，包括：提供衬底，在所述衬底上依次形成第一介质层、第二介质层和图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层具有开口；采用干法刻蚀工艺沿着所述开口刻蚀所述第二介质层以显露出所述第一介质层的表面，且所述开口延伸至所述第一介质层的表面；采用湿法刻蚀工艺继续沿着所述开口刻蚀所述第一介质层以显露出所述衬底的表面，且所述开口延伸至所述衬底的表面；以及，去除图形化的光刻胶层，在所述开口底部的所述衬底的表面形成场氧化层；本发明提高了场氧化层和衬底接触的界面的圆滑度，提高了器件的耐雪崩能力，从而提高了半导体器件的电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州粤芯半导体技术有限公司，未经广州粤芯半导体技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210455052.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种伸缩式变距夹紧工装车
- 下一篇：样本分析仪及其手动进样方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
