[发明专利]用于提高多芯粒晶圆集成可靠性的混合键合结构和方法在审

专利信息
申请号: 202210455316.4 申请日: 2022-04-28
公开(公告)号: CN114551409A 公开(公告)日: 2022-05-27
发明(设计)人: 王伟豪;李顺斌;刘冠东;张汝云 申请(专利权)人: 之江实验室
主分类号: H01L23/552 分类号: H01L23/552;H01L23/367;H01L23/373;H01L21/60
代理公司: 杭州浙科专利事务所(普通合伙) 33213 代理人: 孙孟辉
地址: 311100 浙江省杭*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种用于提高多芯粒晶圆集成可靠性的混合键合结构和方法,该结构包括:对待键合晶圆的上表面对应芯粒键合区域的介电层和n个待键合芯粒的下表面的介电层进行光刻刻蚀,分别形成晶圆凹槽和芯粒凹槽;在凹槽中沉积TiN阻挡层以及铜的籽晶层,利用电镀生长铜填满凹槽,再利用CMP平整表面,形成晶圆铜壁和芯粒铜壁;将形成铜壁的待键合芯粒与的待键合晶圆对准贴合后进行混合键合,得到预键合晶圆组;将预键合晶圆组进行退火热处理,实现晶圆与芯粒的稳定键合。本发明可以阻隔集成芯粒之间及芯粒内部的电信号干扰,并且对D2W集成的散热有很大提升,避免芯粒工作时热量的局部堆积,提升了键合结果的可靠性。
搜索关键词: 用于 提高 多芯粒晶圆 集成 可靠性 混合 结构 方法
【主权项】:
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