[发明专利]一种碳化硅外延层生长方法在审
| 申请号： | 202210466465.0 | 申请日： | 2022-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN114892273A | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 吕立平 | 申请（专利权）人： | 希科半导体科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B25/20;H01L21/02 |
| 代理公司： | 苏州禾润科晟知识产权代理事务所(普通合伙) 32525 | 代理人： | 勾昌羽 |
| 地址： | 215122 江苏省苏州市工业园区双灯路1号苏州纳*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开一种碳化硅外延层生长方法，包括：步骤(1)、提供碳化硅衬底，并将所述碳化硅衬底装入反应腔中；步骤(2)、对所述反应腔内气体进行置换，然后向反应腔内充入H |
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| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
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