[发明专利]减少源漏极短路的方法及静态随机存储器在审
| 申请号： | 202210467653.5 | 申请日： | 2022-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN114823530A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 张城龙;叶甜春;陈少民;李彬鸿 | 申请（专利权）人： | 锐立平芯微电子（广州）有限责任公司;广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/11 |
| 代理公司： | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 苗雨 |
| 地址： | 510000 广东省广州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种减少源漏极短路的方法及静态随机存储器，其可降低相邻晶体管源漏极之间产生桥连而短路的风险，可提高集成电路单位面积内半导体器件密度，该方法包括以下步骤：提供衬底，衬底上分布有间隔设置的第一沟槽隔离区，衬底及第一沟槽隔离区顶端沉积有自下而上依次分布的体硅层、OPL层、抗反射层、光刻胶层；对OPL层的中部刻蚀，获得刻蚀槽，将光刻胶层去除，在刻蚀槽内及抗反射层顶端沉积第一蚀刻层，在第一刻蚀层顶端沉积第二蚀刻层，将OPL层上方及刻蚀槽内部的部分第一刻蚀层、第二刻蚀层去除，获取隔离层，隔离层的宽度等于相邻两个晶体管源漏极之间的最小间距，去除隔离层两侧的OPL层，使隔离层两侧的体硅层生长出源漏极。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 源漏极 短路 方法 静态 随机 存储器 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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