[发明专利]深沟槽MOSFET终端结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202210469467.5 | 申请日： | 2022-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN115020467A | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 罗志云;王飞;潘梦瑜 | 申请（专利权）人： | 恒泰柯半导体（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/66;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 高艳红 |
| 地址： | 201210 上海市浦东新区中国（*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种深沟槽MOSFET终端结构及其制作方法。深沟槽MOSFET终端结构包括：衬底、外延层、氧化层、多晶硅层、体区、漏极金属和多个沟槽掩埋式场限环(buried guard ring)；外延层远离衬底的一侧包括多个沟槽；氧化层位于沟槽内；多晶硅层内嵌于氧化层中，氧化层暴露多晶硅层远离衬底的表面；场限环与沟槽一一对应，场限环位于对应的沟槽的底部；沿MOSFET终端结构远离MOSFET有源区的方向，外延层上的上述多个沟槽依次排列，且该多个沟槽的沟槽深度呈减小趋势；从而改善了终端field crowding,优化了电场分布，提高了终端效能，进而提高了器件可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 深沟 mosfet 终端 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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