[发明专利]半导体结构及其制备方法、半导体存储装置在审
| 申请号： | 202210476174.X | 申请日： | 2022-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN114899093A | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 吴润平;金泰均;元大中;朴淳秉 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/8242;H01L27/108;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 孙宝海 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开实施例提供一种半导体结构及其制备方法以及半导体存储装置，该制备方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底具有沟槽；利用原子层沉积工艺在沟槽的内壁上形成第一氧化层；利用原位水汽生成工艺在第一氧化层和沟槽的内壁之间形成第二氧化层，第二氧化层和第二氧化层的材料相同；以第二氧化层为蚀刻停止层，利用蚀刻工艺蚀刻去除部分第一氧化层，重复执行多次蚀刻工艺，直至完全去除第一氧化层。本公开的制备方法能够精确地控制完全去掉第一氧化层而未损伤第二氧化层的表面，使最终裸露的第二氧化层的表面平坦，减小了栅绝缘层的尺寸，并改善半导体结构的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 存储 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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