[发明专利]MIM电容器的制作方法及MIM电容器有效
| 申请号： | 202210479541.1 | 申请日： | 2022-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN114583049B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 赵东艳;王于波;王凯;陈燕宁;付振;刘芳;余山;邓永峰;吴波;郁文;刘倩倩 | 申请（专利权）人： | 北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司;国家电网有限公司;国网重庆市电力公司电力科学研究院 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 李红 |
| 地址： | 102200 北京市昌平区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体领域，提供一种MIM电容器的制作方法及MIM电容器。所述MIM电容器的制作方法包括：在基板上形成下极板；在下极板上沉积温度系数低的导热电阻材料，形成第一薄膜电阻层；在第一薄膜电阻层上形成介质层；在介质层上沉积温度系数低的导热电阻材料，形成第二薄膜电阻层，使第一薄膜电阻层和第二薄膜电阻层全包覆介质层；在第二薄膜电阻层上形成上极板。本发明通过两层温度系数低的薄膜电阻层将MIM电容器的介质层全包覆住，可以降低MIM电容器整体的温度系数，提高MIM电容器的温度线性度性能。 | ||
| 搜索关键词： | mim 电容器 制作方法 | ||
【主权项】：
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