[发明专利]半导体装置封装及其形成方法在审
| 申请号： | 202210482065.9 | 申请日： | 2022-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN115312399A | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 郭建利;高金福;陈承先 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/52 | 分类号： | H01L21/52;H01L23/10 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开实施例提供一种形成半导体装置封装的方法。所述方法包括将半导体装置接合到封装基板；将金属盖放置在半导体装置和封装基板之上，并在金属盖与半导体装置之间提供金属热界面材料；加热并使金属热界面材料熔化；向下按压金属盖，使得熔化的金属热界面材料流向半导体装置的边界，且熔化的金属热界面材料的横向侧壁的最外点延伸超出半导体装置的边界；向上抬起金属盖，使得熔化的金属热界面材料回流，且其横向侧壁的最外点在半导体装置的边界内；以及固化熔化的金属热界面材料，以通过金属热界面材料将金属盖接合到半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 封装 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
