[发明专利]一种Zn+Ta共掺杂TiO2

摘要

本发明涉及介电陶瓷制备技术领域，具体涉及一种Zn+Ta共掺杂TiO2基巨介电陶瓷、制备方法及其应用，采用闪烧法制备组成为(Zn1/3Ta2/3)0.05Ti0.95O2(ZTTO)的TiO2基巨介电陶瓷，利用XRD、SEM和XPS对Zn+Ta共掺杂TiO2基巨介电陶瓷的微观结构、电学性能、快速致密化理论和巨介常数来源进行了综合研究，在不同电场强度下，焦耳热和高加热速率实现样品快速致密，细化了材料的微观结构，优化了材料的介电性能，当电场为200V/cm时，获得了巨介电常数(ε′～1.32×104)和较低的介电损耗(tanδ～0.27)，炉温降低了25％，烧结时间缩短了90％以上，巨介电常数可能源于电子钉扎缺陷偶极子极化和麦克斯韦‑瓦格纳弛豫型界面极化，这为TiO2基巨介电陶瓷的制备开辟了途径。