[发明专利]一种低阻高透过率ITO导电膜有效

专利信息
申请号: 202210482603.4 申请日: 2022-05-05
公开(公告)号: CN114883025B 公开(公告)日: 2023-08-22
发明(设计)人: 唐安泰 申请(专利权)人: 株洲火炬安泰新材料有限公司
主分类号: H01B1/08 分类号: H01B1/08;H01B5/14;H01B13/00
代理公司: 湖南正则奇美专利代理事务所(普通合伙) 43105 代理人: 肖琦
地址: 410000 湖南省株洲*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明涉及一种低阻高透过率I TO导电膜,属于导电膜技术领域,包括以下重量份原料:改性纳米氧化铟锡6‑15份、水85‑94份、表面活性剂0.4‑1.2份。所述表面活性剂由改性聚乙二醇和十二烷基硫酸钠按照质量比为10:1‑3混合组成;所述改性聚乙二醇包括以下步骤制成:将超支化环氧树脂和聚乙二醇混合均匀后,加入氢氧化钠,调节溶液pH值为10‑11,然后加热至80‑95℃,搅拌反应8‑12h,经后处理,得改性聚乙二醇。所述改性聚乙二醇是接枝有聚乙二醇的超支化聚醚,具有大量含有醚键、羟基的空腔,且改性氧化铟锡表面的环氧基和空腔中含有的羟基发生化学键连,进一提高了改性氧化铟锡在水中分散的稳定性。
搜索关键词: 一种 低阻高 透过 ito 导电
【主权项】:
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