[发明专利]一种低阻高透过率ITO导电膜有效
申请号: | 202210482603.4 | 申请日: | 2022-05-05 |
公开(公告)号: | CN114883025B | 公开(公告)日: | 2023-08-22 |
发明(设计)人: | 唐安泰 | 申请(专利权)人: | 株洲火炬安泰新材料有限公司 |
主分类号: | H01B1/08 | 分类号: | H01B1/08;H01B5/14;H01B13/00 |
代理公司: | 湖南正则奇美专利代理事务所(普通合伙) 43105 | 代理人: | 肖琦 |
地址: | 410000 湖南省株洲*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明涉及一种低阻高透过率I TO导电膜,属于导电膜技术领域,包括以下重量份原料:改性纳米氧化铟锡6‑15份、水85‑94份、表面活性剂0.4‑1.2份。所述表面活性剂由改性聚乙二醇和十二烷基硫酸钠按照质量比为10:1‑3混合组成;所述改性聚乙二醇包括以下步骤制成:将超支化环氧树脂和聚乙二醇混合均匀后,加入氢氧化钠,调节溶液pH值为10‑11,然后加热至80‑95℃,搅拌反应8‑12h,经后处理,得改性聚乙二醇。所述改性聚乙二醇是接枝有聚乙二醇的超支化聚醚,具有大量含有醚键、羟基的空腔,且改性氧化铟锡表面的环氧基和空腔中含有的羟基发生化学键连,进一提高了改性氧化铟锡在水中分散的稳定性。 | ||
搜索关键词: | 一种 低阻高 透过 ito 导电 | ||
【主权项】:
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