[发明专利]冷源晶体管器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202210493952.6 | 申请日： | 2022-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN114843401A | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 何百哲;司佳;张志勇;彭练矛 | 申请（专利权）人： | 北京大学;北京元芯碳基集成电路研究院;北京华碳元芯电子科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40 |
| 代理公司： | 北京庚致知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11807 | 代理人： | 李晓辉 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供一种冷源晶体管器件，包括：基底层；冷源层，冷源层设置于基底层；条带层，条带层与冷源层连接，并通过相同材料制备；栅介质层，栅介质层的部分形成于冷源层的部分，栅介质层的部分覆盖条带层的部分；栅电极，栅电极设置于栅介质层；其中，冷源层和条带层连接的界面形成为同质结，栅介质层覆盖同质结。本公开还提供一种冷源晶体管器件的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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