[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202210506327.0 | 申请日： | 2022-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN115440702A | 公开（公告）日： | 2022-12-06 |
| 发明（设计）人： | 吴承河;文光辰;李镐珍 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L27/088 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 纪雯;李敬文 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括：包含有源区的正面和与正面相对的背面的衬底、位于有源区上的电子元件、在衬底的正面上与电子元件电连接的正面布线结构、以及在衬底的背面上与电子元件电连接的背面布线结构。背面布线结构包括依次堆叠在衬底的背面上的多个背面布线图案，以及与多个背面布线图案中的至少一层相交并延伸穿过该至少一层的超通孔图案。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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