[发明专利]用于成像传感器的像素在审
申请号: | 202210507594.X | 申请日: | 2022-05-10 |
公开(公告)号: | CN115411059A | 公开(公告)日: | 2022-11-29 |
发明(设计)人: | 拉德瓦努尔·哈桑·斯迪克;王一兵;马哈达·曼索里 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/369 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 张晓;陈懂 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 公开了一种用于成像传感器的像素,所述像素包括光电检测器和超表面。光电检测器包括第一表面和从第一表面沿第一方向延伸到光电检测器中的侧壁。超表面形成在第一表面上并且包括纳米结构,该纳米结构使预定波长范围的光从与第一表面基本垂直的方向以背对的角度弯曲至少70度,并且驻波图案形成在像素的有源区中。光的预定波长范围包括700nm至1100nm,并且包括700nm至1100nm。在一个实施例中,像素是硅基光电检测器,像素在第一方向上的厚度小于或等于5μm,并且像素吸收预定波长范围的光的功率的至少20%。 | ||
搜索关键词: | 用于 成像 传感器 像素 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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