[发明专利]一种制备半导体垂直剖面结构的光刻方法在审
| 申请号： | 202210513754.1 | 申请日： | 2022-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN114967316A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 吴挺竹;陈金兰;赖寿强;刘时彪;卢霆威;陈国龙;林宗明;朱丽虹;吕毅军;陈忠 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G03F7/00;G03F7/20 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 陈淑娴 |
| 地址： | 361000 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备半导体垂直剖面结构的光刻方法的制备方法，根据光刻图形设计分隔构件，所述分隔构件包括罩板，罩板具有遮蔽区和镂空区，镂空区周缘垂直向下延伸形成隔板；在半导体基板表面涂覆光刻胶后放置分隔构件，并使隔板嵌入光刻胶中将光刻胶对应遮蔽区和对应镂空区的部分物理隔开，然后进行曝光、显影以及后续的蚀刻工艺。通过分隔构件物理隔离需曝光部分的光刻胶，可实现九十度的垂直剖面，实现了低成本，高精度的光刻工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 半导体 垂直 剖面 结构 光刻 方法 | ||
【主权项】：
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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