[发明专利]基于飞秒激光的光电晶体管制备方法及晶体管阵列

摘要

本发明公开了基于飞秒激光的光电晶体管制备方法及晶体管阵列。包括步骤：S10，提供一顶面具有二氧化硅层的硅基层；S20，在二氧化硅层的上表面形成三层薄膜结构；S30，基于飞秒激光加工工艺依据预设图案信息，沿垂直于三层薄膜结构的表面方向从三层薄膜结构的上方进行刻蚀加工形成由多个叠层无结光电晶体管组成的晶体管阵列，相邻叠层无结光电晶体管经由沟槽分隔开来。本发明的基于飞秒激光的光电晶体管制备方法，通过使用飞秒激光微纳加工技术，省略了传统图案化过程中的光刻步骤，从而降低了晶体管器件的制备工艺成本，复合光敏材料与半导体材料，利用光生载流子注入半导体来提高器件电子及空穴的迁移率，获得更高的光电流响应。