[发明专利]一种全桥输出结构的电源反接保护电路在审
申请号: | 202210514037.0 | 申请日: | 2022-05-11 |
公开(公告)号: | CN115133500A | 公开(公告)日: | 2022-09-30 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 上海鑫雁微电子股份有限公司 |
主分类号: | H02H7/125 | 分类号: | H02H7/125 |
代理公司: | 安徽宏铎知识产权代理事务所(普通合伙) 34250 | 代理人: | 马林红 |
地址: | 201100 上海市闵行*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种全桥输出结构的电源反接保护电路,包括NMOS管MN31、NMOS管MN32、电感器、以及NMOS管MN35,所述NMOS管MN32一侧设有NMOS管MN34,所述NMOS管MN34一侧接地,所述NMOS管MN32一侧设有电源VCC,所述电源VCC一侧设有NMOS管MN31,所述NMOS管MN31一侧设有NMOS管MN33,所述NMOS管MN33一端接地,通过内置MOSFET保护管控制输出驱动管的衬底电位,当电源极性正向接通时,不影响输出驱动管的工作状态,而当电源处于反向接通时,通过控制衬底电位使得输出驱动的寄生二极管处于反向偏置状态,截断了电源对地的电流通路,从而避免反接时出现大电流情况烧毁输出管。 | ||
搜索关键词: | 一种 输出 结构 电源 反接 保护 电路 | ||
【主权项】:
暂无信息
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