[发明专利]一种存储器及其制备方法、存储系统

摘要

本发明公开了一种存储器及其制备方法、存储系统，先在堆叠层上形成覆盖第一区域的第一停止层，接着在堆叠层上形成图案化硬掩模层。该图案化硬掩模层包括位于第一停止层正上方的第一开口图案和对应第二区域的沟道孔图案。然后基于图案化硬掩模层形成对应沟道孔图案的沟道孔。覆盖第一区域的第一停止层可以保证第一区域的堆叠层不被刻蚀。在对应第二区域的位置刻蚀形成有沟道孔图案，同时在对应第一区域的位置刻蚀形成有第一开口图案。因此在刻蚀堆叠层时，在需要形成沟道孔的区域和不需要形成沟道孔的区域的交界处，可以减少残留物分子聚集在交界处对堆叠层的刻蚀造成影响，进而可以改善第二区域边缘的沟道孔刻蚀工艺，降低刻蚀难度。