[发明专利]多弧离子镀膜装置在审
| 申请号： | 202210517313.9 | 申请日： | 2022-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN114717522A | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 王君;闫超颖;依君;梁惠朋 | 申请（专利权）人： | 沈阳爱科斯科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/32 | 分类号： | C23C14/32;C23C14/02;C23C14/50;C23C14/56;C23C14/54 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 王震 |
| 地址： | 110000 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本申请涉及真空镀膜技术领域，尤其是涉及一种多弧离子镀膜装置。该多弧离子镀膜装置包括镀膜模组，镀膜模组包括真空室、镀膜弧源和刻蚀弧源，镀膜弧源和刻蚀弧源均与真空室相连接，真空室的内部用于通入反应气体。该多弧离子镀膜装置采用刻蚀弧源和阳极组件组成的刻蚀组件对工件表面进行刻蚀处理，再通过镀膜弧源对工件进行沉积镀膜，能够提高工件外表面与膜层之间结合力，使得工件表面获得致密、高硬度、高耐磨的高性能功能膜层，以应对各种复杂工况和工艺需求。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 镀膜 装置 | ||
【主权项】：
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