[发明专利]半导体器件的清洗方法在审
| 申请号： | 202210517412.7 | 申请日： | 2022-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN114975082A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 徐正弘 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B08B3/00;B08B3/08 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 卢亚培 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及半导体技术领域，特别涉及半导体器件的清洗方法，其中，采用腐蚀性水溶液清洗形成有深宽比结构的半导体器件；采用第一水溶性有机溶剂清洗通过所述腐蚀性水溶液清洗后的半导体器件，以去除腐蚀性水溶液的残留部分。并且，通过使第一水溶性有机溶剂的表面张力小于水的表面张力，更容易在深宽比结构的表面铺展，更加快速的置换深宽比结构底部残留的腐蚀性水溶液。以及，第一水溶性有机溶剂可溶于水，在第一水溶性有机溶剂与腐蚀性水溶液接触后，可以带走腐蚀性水溶液中的部分水分，从而抑制腐蚀性水溶液中的离子解离，避免腐蚀性水溶液残留在深宽比结构的底部而对深宽比结构造成破坏，从而提高半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 清洗 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210517412.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
