[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202210518969.2 | 申请日： | 2021-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN114975595A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 胡凯;黃敬源;叶朝栋;章晋汉 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（苏州）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 深圳宜保知识产权代理事务所(普通合伙) 44588 | 代理人： | 王琴;曹玉存 |
| 地址： | 215211 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 半导体器件包括第一氮基半导体层、第二氮基半导体层、一对掺杂的氮基半导体层以及第一电极。第二氮基半导体层设置于第一氮基半导体层上。第一以及第二氮基半导体层共同具有有源部分以及电绝缘部分，电绝缘部分围绕有源部分，且电绝缘部分具有一对凹陷以接收有源部分。一对掺杂的氮基半导体层设置于第二氮基半导体层上。掺杂的氮基半导体层彼此分离。第一电极设置于第二氮基半导体层上以及在掺杂的氮基半导体层之间。每一个掺杂的氮基半导体层中具有彼此相对的第一侧表面以及第二侧表面，第一侧表面面向第一电极，第二侧表面背对第一电极。沿着第二氮基半导体层的法线方向上，第一侧表面对齐凹陷的边界，第二侧表面与凹陷的边界隔开。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
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