[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202210523978.0 | 申请日： | 2022-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN114883402A | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 葛成海;李庆民;林滔天;谢烈翔 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 230012 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，其中，所述半导体器件包括：衬底，其包括凹槽结构区域和所述凹槽结构区域之外的非凹槽结构区域，且凹槽结构区域中形成有凹槽结构；第一导电类型阱和第二导电类型漂移区，且凹槽结构位于部分所述第一导电类型阱和第二导电类型漂移区中；阳极，其位于第二导电类型漂移区中；阴极，其位于第一导电类型阱中；栅极氧化层，其位于凹槽结构的部分底面上以及非凹槽结构区域的部分衬底上，以使栅极氧化层呈阶梯型；栅极，其位于栅极氧化层上，且呈阶梯型。本发明通过在衬底上形成凹槽结构，且将部分栅极氧化层和栅极设置在凹槽结构中以形成阶梯型的栅极氧化层和栅极，可以提高器件的导通电流速度以及器件的耐压能力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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