[发明专利]半导体封装结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202210524258.6 | 申请日： | 2022-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN115101488A | 公开（公告）日： | 2022-09-23 |
| 发明（设计）人： | 赖柏辰;游明志;林柏尧;汪金华;郑心圃 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373;H01L23/04;H01L23/10;H01L23/498;H01L23/31;H01L21/52;H01L21/56 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体封装结构及其形成方法。半导体封装结构包括一载体基板、一中介层基板、一半导体装置、一盖件以及一热界面材料。中介层基板设置在载体基板上。半导体装置设置在中介层基板上。盖件设置在载体基板上，以覆盖半导体装置。热界面材料设置在盖件与半导体装置之间。一第一凹部形成在盖件的面向半导体装置的一下表面上，且在俯视视角中，第一凹部与半导体装置重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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