[发明专利]半导体封装结构及其形成方法在审
申请号: | 202210524298.0 | 申请日: | 2022-05-13 |
公开(公告)号: | CN115101482A | 公开(公告)日: | 2022-09-23 |
发明(设计)人: | 叶书伸;林柏尧;汪金华;林昱圣;郑心圃 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/16;H01L23/367;H01L23/373;H01L21/56 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 闫华 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 一种半导体封装结构及其形成方法,半导体封装结构包括中介基板,形成于封装基板之上;裸片,位于中介基板之上;第一散热片,位于封装基板之上;以及第二散热片,位于裸片之上,且连接至第一散热片,第一散热片的热膨胀系数与第二散热片的热膨胀系数不同。 | ||
搜索关键词: | 半导体 封装 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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