[发明专利]一种半导体结构的制备方法有效
| 申请号： | 202210526048.0 | 申请日： | 2022-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN114613668B | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 陈忠奎;陈超;邓辉 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/28;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 冯启正 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构的制备方法，包括：提供第一衬底，所述第一衬底内具有若干第一深沟槽；在所述第一衬底上形成非感光的填充层，所述填充层充满所述第一深沟槽并延伸覆盖所述第一衬底；减薄所述填充层直至露出所述第一衬底，保留所述第一深沟槽内的所述填充层；在所述第一衬底上形成光阻层，所述光阻层覆盖所述第一衬底及所述填充层；除去所述第一衬底上的部分所述光阻层及对应的所述第一深沟槽内的所述填充层。所述填充层充满所述第一深沟槽，为所述光阻层提供平坦的形成表面，进而均匀所述光阻层的厚度，避免所述光阻层由于厚度及应力不均产生的裂缝。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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