[发明专利]一种发光二极管器件及其制备方法、显示装置在审
| 申请号： | 202210529109.9 | 申请日： | 2022-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN115036340A | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 王玮;张方振;王锦谦;任锦宇;高志坤;秦斌;王新星;牛亚男;周婷婷;牛菁;孙双 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/06;H01L33/10;H01L33/14;H01L33/38;H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人： | 王云红;翟姝红 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开实施例提供一种发光二极管器件及其制备方法、显示装置。发光二极管器件包括蓝色子像素区域和至少一个非蓝色子像素区域，发光二极管器件包括发光结构层和反射层，发光结构层包括位于各子像素区域且依次叠层设置的第一半导体层、量子阱层和第二半导体层；反射层位于发光结构层的一侧，反射层包括第一反射结构和至少一个第二反射结构，第一反射结构位于蓝色子像素区域，第二反射结构位于非蓝色子像素区域，第二反射结构对蓝光的反射率大于第一反射结构对蓝光的反射率。本公开的技术方案，可以减少蓝光伤害。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 器件 及其 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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