[发明专利]一种金属氧化物半导体场效应管

摘要

本发明公开了一种金属氧化物半导体场效应管，涉及半导体场效应管技术领域。包括框架，所述框架的内部安装有一号P形半导体，所述一号P形半导体顶端的一侧安装有一号N形半导体，所述一号P形半导体顶端的另一侧安装有二号N形半导体，所述一号P形半导体底端的一侧安装有三号N形半导体，所述一号P形半导体底端的另一侧安装有四号N形半导体，所述三号N形半导体和四号N形半导体之间安装有N形半导体通道。本发明通过增强型金属氧化物半导体场和耗尽型金属氧化物半导体场相互作用的设置，使得该装置还具有了控制两个不能够同时工作的装置的运行，该设计保证了上述两个工作装置的互不干扰，保证了机械的正常运行。