[发明专利]铟铁凸点微晶材料及铟铁凸点微晶压电盘制备方法在审
| 申请号： | 202210533636.7 | 申请日： | 2022-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN114864805A | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 林铭;林逸彬;李柏森;潘威;黄俊铭 | 申请（专利权）人： | 林铭 |
| 主分类号： | H01L41/047 | 分类号： | H01L41/047;H01L41/113;H01L41/29;H02N2/18 |
| 代理公司： | 福州智理专利代理有限公司 35208 | 代理人： | 康永辉 |
| 地址： | 350000 福建省福州市仓山*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了铟铁凸点微晶材料及铟铁凸点微晶压电盘制备方法,本发明的铟铁凸点微晶材料及铟铁凸点微晶压电盘制备方法，是在厚度小于4mm的工业纯铁或钢或含铁超过40%(Wt%)合金材料表面，设一含铟超过50%(Wt%)且含铁超过10%(Wt%)且含铟和铁共超过70%(Wt%)的复合材料层，在复合材料层表面设有许多个凸点微晶，每个凸点微晶高度不大于100nm、直径不大于100nm的顶部为球状或近似球状，或凸点微晶高度不大于100nm的近似椭圆、椭圆最大长度不超过200nm的顶部为球状或近似球状或近似椭圆状，凸点微晶含铟超过50%(Wt%)且含铟和铁共超过70%(Wt%)，凸点微晶与复合材料层成为一体；零件表面复合材料层和基体材料成为一体，形成铟铁凸点微晶材料。 | ||
| 搜索关键词： | 铟铁凸点微晶 材料 压电 制备 方法 | ||
【主权项】：
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