[发明专利]半导体结构的制备方法、半导体结构、存储器和存储系统在审
| 申请号： | 202210541368.3 | 申请日： | 2022-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN115020418A | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 李兆松;李思晢;高晶;毛晓明 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11556 | 分类号： | H01L27/11556;H01L27/11524;H01L27/11582;H01L27/1157 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 李莎 |
| 地址： | 430205 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构的制备方法、半导体结构、存储器和存储系统，半导体结构的制备方法包括：在衬底上依次形成第一堆叠结构以及第二堆叠结构，并以第一堆叠结构为停止层，形成沿第一方向穿过第二堆叠结构并延伸至第一堆叠结构中的沟道结构，其中，在刻蚀第二堆叠结构的环境下，第一堆叠结构具有第一刻蚀速率，第二堆叠结构具有第二刻蚀速率，第一刻蚀速率不大于第二刻蚀速率，本发明通过在第二堆叠结构的下方设置第一堆叠结构，且第一堆叠结构在刻蚀第二堆叠结构的环境下不易被刻蚀，因此，当以第一堆叠结构作为刻蚀形成沟道结构的沟道孔时的刻蚀停止层，可以保证沟道孔的底部能处于作为刻蚀停止层的第一堆叠结构中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制备 方法 存储器 存储系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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