[发明专利]功率半导体器件在审
| 申请号： | 202210544614.0 | 申请日： | 2022-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN115377184A | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | R·巴布尔斯克;M·豪夫;H-J·舒尔茨;H·舒尔茨;B·斯托伊布 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L29/861;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘书航;周学斌 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种功率半导体器件包括：半导体本体；第一负载端子结构和第二负载端子结构；有源区域；漂移区；背侧区，包括第一背侧发射极区带和第二背侧发射极区带。第一背侧发射极区带和第二背侧发射极区带中的至少一个包括：多个第一区段，包括第二导电类型的至少一个第一区，具有至多50μm的最小横向延伸；和/或多个第二区段，与第二负载端子结构接触并且具有至少50μm的最小横向延伸。第二背侧发射极区带不同于第一背侧发射极区带之处在于：第一区段的存在；第二区段的存在；第一区段的最小横向延伸；第二区段的最小横向延伸；第一区段之间的横向距离；第二区段之间的横向距离；第一区的最小横向延伸；在同一第一区段内的邻近的第一区之间的横向距离。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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