[发明专利]提高发光与制备效率的发光二极管外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 202210546955.1 | 申请日： | 2022-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN115188860A | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 尚玉平;陆香花;肖云飞;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/32;C30B25/18;C30B29/40 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开公开了提高发光与制备效率的发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。生长发光二极管外延片的多量子阱层中的垒层时，向反应腔通入第一有机金属源与第一反应气体生长第一子层，第一有机金属源包括三甲基镓，第一反应气体包括氢气、氨气与氮气。得到的第一子层的生长速度较快，缩短垒层所需的制备时长；而第一反应气体中的氢气可以抑制In原子渗入第一子层中，保证第一子层的成形速度的同时提高得到的第一子层的晶体质量。通入三乙基镓与第二反应气体在第一子层上生长第二子层，三乙基镓可以使得到的第二子层具有更好的晶体质量与电学性能，有效提高最终得到的发光二极管外延片的发光效率与制备效率。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 发光 制备 效率 发光二极管 外延 及其 方法 | ||
【主权项】：
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