[发明专利]提高内量子效率的发光二极管外延片制备方法及外延片

摘要

本公开公开了提高内量子效率的发光二极管外延片制备方法及外延片，属于发光二极管制作领域。InGaN阱层的第一阶段的生长过程中，使铟源流量线性增加至第一铟源阈值，镓源由第一镓源阈值线性降低至第二镓源阈值，可以在短时间且较薄的InGaN阱层的厚度内形成In源富集区，提高多量子阱层的出光效率。第二阶段生长起到过渡与提高晶体质量的作用。第三阶段铟源不变而镓源线性增加，第四阶段铟源与流量均进行增加，提高发光效率。第五阶段、第六阶段中In的富集进一步减少，提高整体质量。六个阶段的In的富集程度的变化，缓解极化电场，提高电子‑空穴波函数的交叠区域，提高发光二极管的内量子效率。