[发明专利]一种碳化硅生长装置及其坩埚保温结构在审
| 申请号： | 202210552279.9 | 申请日： | 2022-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN115110150A | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 林骞;余雅俊;占俊杰;徐良;刘建哲 | 申请（专利权）人： | 浙江富芯微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 张力 |
| 地址： | 321000 浙江省金华市婺城区秋*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明属于碳化硅新材料技术领域，具体涉及一种碳化硅生长装置及其坩埚保温结构，其中，保温结构包括保温垫、保温筒和保温盖，其中，保温垫置于坩埚的下方，适于放置坩埚；保温筒两端开口，并包括沿其轴向布设的第一保温部和第二保温部，第一保温部的端部座设于保温垫上，并与坩埚下部的外壁贴合，第二保温部与坩埚上部的外壁形成上宽下窄的空腔；保温盖封堵于保温筒的上方，且底面与坩埚的顶面接触连接。上述结构既能提升坩埚的轴向温度差，提高碳化硅原料的升华及长晶速率，快速推动生长过程，又能在碳化硅原料凝华部分只通过气相热传导进行热量交换，气相分子平稳有序上升，重新梳理整合径向温度梯度差，进而提高整体碳化硅单晶生长质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 生长 装置 及其 坩埚 保温 结构 | ||
【主权项】：
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